Тольятти, 26.04.2012 — Тольятти Онлайн.
Как пишет Вести.ru, внутри Galaxy S III будет установлена «система-на-кристалле» (SoC) Exynos 4 Quad с четырьмя ядрами Cortex M9 и частотой от 1,4 ГГц.
Exynos 4 Quad изготавливается по 32-нанометровому техпроцессу High-k Metal Gate (HKMG). В компании подчеркивают, что новый чип вдвое мощнее 42-нанометрового Exynos 4 Dual с двумя ядрами (присутствует в Galaxy S II, Galaxy Note и Galaxy Tab 7.7).
В то же время он потребляет на 20% меньше энергии за счет дополнительного ядра S5M8767, которое регулирует напряжение каждого из четырех ядер с шагом в 6.25 милливольт.
Exynos 4 Quad умеет записывать HD-видео со скоростью 30 кадров в секунду и обладает поддержкой интерфейса HDMI 1.4. Он предназначен как для смартфонов, так и для планшетов. Первым новый чип появится во флагмане Galaxy S III.
Хотите узнавать об интересных событиях первыми? Подпишитесь на нас в Яндекс.Дзен, Яндекс.Новости, Google.Новости!
